Etude des propriétés structurales et électronique des nanostrctures de nitrure de bore h-BN

Abstract

L’étude des propriétés structurales et électroniques des nanostructures de nitrure de bore hBN est l’objectif principal de ce travail. Pour cela, des calculs ab-initio basé sur l’approximation

SCF-LCAO-DFT-B3LYP périodique à l’aide du programme CRYSTAL09 ont été réalisés. Les

résultats obtenus montrent que le nitrure de bore hexagonal (bulk) h-BN est un isolant à large gap. Ceci est confirmé par l’analyse de la structure de bandes d’énergies, de la densité d’état totale DOS, projeté sur l’environnement LDOS et sur les OAs PDOS. Mots clés : nitrure de bore, DFT, nanostructure h-BN , B3LYP, CRYSTAL09, bulk.