ETUDE D’UN PUITS QUANTIQUE A BASE D’InGaN/ZnSnN 2 /InGaN POUR LE LASER A SEMI- CONDUCTEUR

Abstract

Ce travail se concentre sur l’étude et la simulation d’une heterojonction composé d’un mélange des semi-conducteurs de la famille III-V et celles des Zn-VIN2.l’InGaN/ZnSnN2/InGaN

est notre sujet. Nous voulons arriver à des résultats comparable à celle d’une heterojonction composé des ternaire de semi- conducteurs de la famille des III-V. Une simulation est réalisé pour détecter l’effet de la variation de la concentration de l’indium sur le paramètre de maille et le gap et l’influence due à la variation la largeur du puits quantique à des concentrations variables ; ce qui a déduit une longueur d’onde émise maximale de 0.6650 μm.