Etude d’une structure a base d’un semi-conducteur III-V pour photovoltaïque

Abstract

Les cellules solaires multi-jonctions à base d’éléments III-V, dont les performances n’ont cessé d’augmenter depuis la fin des années 90, permettent de les utiliser pour les cellules solaires à haut rendement. Notre cellule solaire multi-jonctions à base d’InGaP/InGaAs/InGaSb/Ge présente un rendement de conversion record qui égale 45%. Nous nous intéressons dans ce travail à étudier une cellule multi-jonctions à base des absorbeurs InGaP/InGaAs/InGaSb/Ge par un outil de simulation deux dimensions : Atlas SILVACO-TCAD et MATLAB pour les propriétés physiques. Le but principal de notre travail est basé, dans un premier temps, sur l'obtention des performances de notre cellule solaire à base des absorbeurs InGaP, InGaAs, InGaSb et Ge. Le rendement de conversion et le rendement quantique de notre cellule ont été estimés. Dans un deuxième temps, on a fait une étude physique sur les matériaux InGaP, InGaAs, InGaSb séparément, nous avons calculées le désaccord de maille (la contrainte), l’ajustement de la bande interdite et l’absorption qui considérer comme des paramètres importantes dans le photovoltaïque