Simulation numérique de l’effet de l’épaisseur de la couche du canal sur un transistor TFT a-IGZO

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Titre:	Simulation numérique de l’effet de l’épaisseur de la couche du canal sur un transistor TFT a-IGZO
Auteur(s):	Labdaoui, Salim Sayah, Walid
Mots-clés:	a-IGZO, Transistor à couche couches mince (TFT), Simulation (SILVACO /ATLAS)
Date de publication:	2020
Editeur:	Univ Blida1
Résumé:	L’oxyde d’indium de gallium et de zinc (IGZO) est un oxyde semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans la fabrication des transistors en couches minces (TF) en raison de ses caractéristiques spécifiques, telles que la grande mobilité et la transparence. Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique par le programme ATLAS SILVACO afin de déterminer dans quelle mesure l’épaisseur du canal affecte les performances et l’efficacité du transistor. Quatre épaisseurs de 5, 10, 15 et 20 nm ont été étudiées
Description:	621.940 ; 78 p
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/11351
Collection(s) :	Mémoires de Master

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