Simulation numérique de l’effet de l’épaisseur de la couche du canal sur un transistor TFT a-IGZO

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Labdaoui, Salim	-
dc.contributor.author	Sayah, Walid	-
dc.date.accessioned	2021-04-28T08:20:38Z	-
dc.date.available	2021-04-28T08:20:38Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/11351	-
dc.description	621.940 ; 78 p	fr_FR
dc.description.abstract	L’oxyde d’indium de gallium et de zinc (IGZO) est un oxyde semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans la fabrication des transistors en couches minces (TF) en raison de ses caractéristiques spécifiques, telles que la grande mobilité et la transparence. Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique par le programme ATLAS SILVACO afin de déterminer dans quelle mesure l’épaisseur du canal affecte les performances et l’efficacité du transistor. Quatre épaisseurs de 5, 10, 15 et 20 nm ont été étudiées	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	a-IGZO, Transistor à couche couches mince (TFT), Simulation (SILVACO /ATLAS)	fr_FR
dc.title	Simulation numérique de l’effet de l’épaisseur de la couche du canal sur un transistor TFT a-IGZO	fr_FR
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