Etude et modélisation des recombinaisons excitoniques dans les hétérostructures contraintes à puits quantiques

Abstract

Une des forces des semi-conducteurs composés et de leurs alliages est de permettre une ingénierie très flexible des structures de bande et de couvrir une large bande spectrale intéressant de nombreuses applications optoélectroniques. De plus, il est possible de les réaliser sous forme de puits et boîtes quantiques, qui constituent des émetteurs efficaces pour les diodes laser. Nos travaux de thèse s’inscrivent dans le contexte du développement de nouvelles hétéro-structures quantiques pour la filière GaAs en vue d’étendre sa gamme d’application tout en se basant sur les transitions intersousbandes. Le travail proposé dans cette thèse appartient au domaine de la physique numérique et simulation. En marge des résultats prometteurs obtenus, la physique des deux matériaux choisis l’InGaAsSb et le GaNAsBi, aux propriétés très particulières, offre encore un large champ d’investigation.