Etude et simulation d’une structure a base de AlInAsSb/GaSb/InAs pour le photovoltaïque

Abstract

Ce travail porte sur la modélisation et la simulation d’une structure à base de semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’aluminium et d’arsenic sur les différents paramètres de l’alliage AlInAsSb épitaxie sur les couches de GaSb et InAs. En effet l’augmentation de la densité d’aluminium augmente le gap de l’alliage. L’étude comprend des graphes donnant les variations des différents facteurs influant sur le rendement de conversion en fonction de la concentration d’aluminium et de la concentration d’arsenic. Pour AlInAsSb/InAs la valeur la plus élevé du rendement (20.92%) est obtenue pour une concentration d’aluminium égale à 3% et une concentration d’arsenic de 80 % et même valeur pour GaSb mais pour une concentration d’aluminium x=4%. Mots clés : semi-conducteur ; photovoltaïque ; contrainte ; gap