Etude et simulation des structures à base de GaInAlSb/GaInSb et GaInAsSb/GaInSb pour le photovoltaïque

Abstract

Ce travail porte sur la modélisation et la simulation d’une structure à base de semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAlSb et GaInAsSb épitaxie sur substrat de GaInSb. En effet l’augmentation de la densité d’indium diminue le gap de l’alliage, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire.

L’étude comprend des graphes donnant les variations des différents facteurs influant sur le rendement de conversion en fonction de la concentration d’indium et de l’épaisseur de la couche des semi-conducteurs. La structure la plus appropriée pour ce travail est GaInSb/GaInAlSb car elle possède un meilleur rendement