Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux InGaAs/InP

Abstract

La transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Ce travail porte sur l’étude, la simulation et l’optimisation d’une photodiode ultra-rapide à base d’un composé ternaire de semiconducteurs III-V de l’épitaxie InGaAs sur le substrat InP. Nous avons optimisé l’impact de la concentration d’indium sur les différentes paramètres électriques et optiques de l’alliage InGaAs/InP, à l’aide d’un logiciel de simulation qui est Matlab, ainsi que la capacité et la fréquence de coupure d’un photodétecteur