1. DSpace at My University blida 1
  2. Faculté De Technologie
  3. Département d’Electronique
  4. Mémoires de Master
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dc.contributor.authorEl Mechri, Naima-
dc.contributor.authorLongou, Ghania Asma-
dc.date.accessioned2021-09-30T08:35:17Z-
dc.date.available2021-09-30T08:35:17Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.urihttp://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/12102-
dc.description621.995 ; 48 pfr_FR
dc.description.abstractLa transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Ce travail porte sur l’étude, la simulation et l’optimisation d’une photodiode ultra-rapide à base d’un composé ternaire de semiconducteurs III-V de l’épitaxie InGaAs sur le substrat InP. Nous avons optimisé l’impact de la concentration d’indium sur les différentes paramètres électriques et optiques de l’alliage InGaAs/InP, à l’aide d’un logiciel de simulation qui est Matlab, ainsi que la capacité et la fréquence de coupure d’un photodétecteurfr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniv Blida1fr_FR
dc.subjectPhotodiode, substrat, épitaxie, Semi-conducteur III-V, Capacité, Fréquence de coupure, photodétecteufr_FR
dc.titleEtude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux InGaAs/InPfr_FR
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