Influence des paramètres  géométriques sur les paramètres des transistors MOS

Please use this identifier to cite or link to this item: http://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/12762

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Boukhari, Hamza	-
dc.contributor.author	Khaled, Abdelhakim	-
dc.date.accessioned	2021-11-07T07:58:14Z	-
dc.date.available	2021-11-07T07:58:14Z	-
dc.date.issued	2021	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/12762	-
dc.description	621.1041 ; 71 p	fr_FR
dc.description.abstract	Depuis plus de 30 ans, l'industrie des semi-conducteurs est Connu pour la rapidité de production des composants de nouvelle génération ,Toujours de plus en plus efficace. Depuis 1970, cette évolution a été décrite La loi de Gordon Moore, qui stipule le double du nombre Les composants de chaque circuit tous les dix-huit mois. Augmentation de la densité d'intégration et de la vitesse du circuit L'augmentation continue a conduit à la réalisation de dispositifs submicroniques et L'émergence de limites physiques intrinsèques. C'est pourquoi, grand Des laboratoires de recherche du monde entier s'unissent Feuille de route internationale sur la technologie des semi-conducteurs (ITRS) identifier les principaux défis techniques	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.title	Influence des paramètres géométriques sur les paramètres des transistors MOS	fr_FR
Appears in Collections:	Mémoires de Master

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
hamza 2-converti.pdf		1,99 MB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI