Étude et optimisation d’une photodiode pour la télécommunication

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/13030

Titre:	Étude et optimisation d’une photodiode pour la télécommunication
Auteur(s):	Gherab, Gouraya Hamoud, Anfal; Aissat, Abdelkader (promoteur); Ameraoui, Rachid (promoteur)
Mots-clés:	Photo-détection ; Photodiode; Semiconducteurs; (InGaN/GaN, InAsSb/GaAs)
Date de publication:	2021
Editeur:	Université Blida 01
Résumé:	Ce travail porte sur la simulation de deux structures à base de semi-conducteurs III-V (InGaN/GaN et InAsSb/GaAs) pour une application de photo-détection. Il s’agit plus exactement d’évaluer l’influence de chacun de l’indium ‘In’ et l'ant imoine ‘Sb’ sur les différents paramètres de ces semi-conducteurs pour la conception d’une photodiode. Ce manuscrit comporte des généralités sur les S.C. III-V, ainsi que la simulation des deux structures mentionnées et la comparaison entre eux et leurs avantages.
Description:	Mémoire de Master option Communication Navigation Surveillance /Gestion du trafic aérien (CNS).-Numéro de Thèse 041/2021
URI/URL:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/13030
Collection(s) :	Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
MFE AERO.pdf		6,04 MB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

DSpace JSPUI