Etude et simulation de la structurer InGaAsBi/GaAs a puits quantique pour l’émission 1.3 μm

Abstract

Le sujet de note mémoire l'étude et la simulation de la structure sous-jacente de InGaAsBi / GaAs pour un longe d’émission 1,3 µm. Cette structure quaternaire InGaAsBi est un semi-conducteur III-V.il représente des caractéristiques très importantes notamment l'énergie de son gap, qui diminue fortement en introduisant de l'indium et du bismuth sur le substrat GaAs. En fin de compte, nous avons déterminé la concentration de (In) et (Bi) qui permet longe d’émission 1.3 μm