Etude et simulation de la structurer InGaAsBi/GaAs a puits quantique pour l’émission 1.3 μm

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Ouzani, Amina	-
dc.contributor.author	Sebaa, Noura	-
dc.date.accessioned	2021-11-18T09:38:45Z	-
dc.date.available	2021-11-18T09:38:45Z	-
dc.date.issued	2021	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/13042	-
dc.description	621.1057 ; 60 p	fr_FR
dc.description.abstract	Le sujet de note mémoire l'étude et la simulation de la structure sous-jacente de InGaAsBi / GaAs pour un longe d’émission 1,3 µm. Cette structure quaternaire InGaAsBi est un semi-conducteur III-V.il représente des caractéristiques très importantes notamment l'énergie de son gap, qui diminue fortement en introduisant de l'indium et du bismuth sur le substrat GaAs. En fin de compte, nous avons déterminé la concentration de (In) et (Bi) qui permet longe d’émission 1.3 μm	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	Puits quantique, longueur d’onde d’émission, structure InGaAsBi, paramètre de maille	fr_FR
dc.title	Etude et simulation de la structurer InGaAsBi/GaAs a puits quantique pour l’émission 1.3 μm	fr_FR
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