Simulation numérique une cellule solaire à base de GaInP en présence des défauts créés par irradiation à électron de 1MeV

Abstract

Les scientifiques ont accordé beaucoup d'attention depuis longtemps aux études dans le domaine spatial, notamment à l'utilisation de panneaux solaires dans des applications spatiales comme les satellites afin de leur fournir de l'énergie électrique. Cependant, les semi-conducteurs à base des matériaux III-V qui composent ces panneaux sont souvent exposés à des dangers et des distorsions de leur structure après exposition à des particules nocives et aux rayonnements solaires. Nous présentons dans ce travail une simulation numérique sous Comsol Multiphysics d'une cellule solaire à base de GaInP en présence des défauts générés par irradiation à électron de 1MeV sous une fluence de 3.10

cm électrons.Nous avons constaté que les pièges à trous H1, H2 et H3 sont plus influent par rapport aux défauts à électrons E1, E2 et E3 dans la dégradation des paramètres externes de la cellule solaire