Investigation des profils de dopage du bore dans le Silicium de type n obtenus par simulation

Abstract

Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Silicium semble prometteur. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons le logiciel EDNA 2, pour étudier les performances des cellules solaires à base de Silicium. Nous évaluons dans un premier temps, les différentes étapes de dopage de Bore pour une structure typique de jonction N. Par la suite nous nous intéressons à la concentration et à profondeur pour étudier l’influence de celles-ci sur les caractéristiques externes de la structure