Caractérisation et Optimisation des cellules photovoltaïque à hétérojonction de silicium HIT

Abstract

L'optimisation des paramètres géométrique et électronique (l’épaisseursd’émetteur a-Si: H (n), la couche intrinsèque a-Si: H (i), substrat c-Si(p)) des cellules solaires à hétérojonction HJ (a-Si: H (n) / c -Si (p)), HIT (Si: H (n) / a-Si: H (i) / c-Si (p)), HITBSF (Si: H (n) / a-Si: H (i) / c-Si (p) / BSF)est effectuéeen utilisant le logiciel de simulation SCAPS.Toutes les structures présentent une efficacité maximum avec un émetteur d’épaisseur 6 nm et une couche intrinsèqued’épaisseur 3 nm. L’introductionde la couche BSF donne un rendement del’ordre 21,32% dela cellule HIT avec l’épaisseur du substrat, de la couche émetteur a-Si :H(n) et BSFsont respectivement300μm,6 nm et 3nm.