Effet de la concentration d’Indium sur les performances des cellules photovoltaïques à base de CIGS

Abstract

Ce travail présente une étude sur la modélisation des performances des cellule photovoltaïques à base de CIGS, d’où nous avons analysé le comportement de ces cellules en variant l’épaisseur des couches tampon et absorbante dans une première étape, de la concentration de dopage dans la deuxième étape et en discutant l’effet de la concentration d’Indium (In) sur les cellules à base de GIGS (Cu(In 1-x, Ga x )Se 2 ) dans la troisième étape. Concernant cette dernière étape, nous avons considéré un profil de gap gradient sous forme parabolique pour la couche absorbante (CIGS), d’où nous avons varié Eg entre 1,04eV et 1,68eV, à l’aide de logiciel de simulation SCAPS. Cette considération, nous a permet d'améliorer les performances de la cellule étudié : Vco=0.68V, Jsc=44.10mA/cm², un FF=78.51% et un η=23.69%.