LA MODELISATION DU DEPOT DE SiGe PAR CVD

Abstract

Aujourd’hui, les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sont devenus incontournables dans la fabrication des composants électroniques. La connaissance de la thermodynamique, les cinétiques de réaction, les caractéristiques d’écoulement et de transport de masse aident à la miniaturisation des composants. L’objectif de cette thèse est la modélisation des réacteurs de CVD à l’aide d’un code de calcul commercial. L’outil mathématique a été utilisé pour traiter le dépôt de SiGe à partir d’un mélange de dichlorosilane et de germane. Le modèle proposé est basé sur une pyrolyse des deux réactifs dans l’enceinte réactionnelle et leur décomposition sur la surface de la plaquette. Une étude aérodynamique et thermique du réacteur est effectuée avec une analyse de la distribution des espèces chimiques et de la vitesse de dépôt. L’influence de la pression totale, de la température et de la composition du mélange réactif à l’entrée du réacteur est présentée.