Modélisation et simulation, à l’échelle atomique de la croissance cristalline homoépitaxique de quatre couches atomiques de Ga As/Ga As(100)

Abstract

Le développement de la microélectronique, dans la course vers la réduction des dimensions, ouvre la voie à de nouveaux axes de recherche, à tous les niveaux, de l'expérimentation, de la modélisation. Cette réduction des dimensions inhérente à l'accroissement de complexité, rend nécessaire l'analyse microscopique des phénomènes qui limitent les performances électriques et la fiabilité des réalisations : formation des défauts, diffusion anormale, contraintes…Toutes les opérations fondamentales : oxydation, diffusion, implantation, recuit… sont concernées. Pour notre part, nous nous intéressons dans ce mémoire à la modélisation et à la simulation de la croissance cristalline. Nous tenterons de montrer que la simulation peut être un outil très efficace pour la compréhension des phénomènes nouveaux liés à la complexité croissante et à la taille de plus en plus petite des dispositifs électroniques et pour la prévision de leurs performances.