Etude et simulation d’une structure à base des semi-conducteurs III.V AlInN/GaN pour HEMT

Abstract

Les semi-conducteurs à base de composés III-V de type GaN présentent de nombreux avantages liés essentiellement à leur grand gap .De plus, il est possible de former avec AlInN une hétérojonction de type HEMT (High Electron Mobility Transistor).Nous avons étudié l’effet de la polarisation spontanée et piézoélectrique sur la formation et la localisation du gaz d’électrons bidimensionnel 2DEG dans l’hétéro structure avec un dopage égal a 10 18 cm -3 . Nous avons également étudié le contact Schottky et ohmique et nous avons calculé le courant de drain en fonction de la tension de drain et de grille. Nous avons présenté les effets limitatifs qui réduisent les performances de composant.