Etude et simulation des structures à base de GaInAs/GaAs et GaInAsN/GaAs pour le photovoltaïque

Abstract

Ce travail comporte la modélisation et la simulation des deux structures à base de semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence des concentrations « indium » et « indium et azote » sur les différents paramètres des deux alliages GaInAs et GaInAsN respectivement épitaxies sur substrat de GaAs. En effet l’augmentation des densités de « In » et « In,N » diminue le gap des deux alliages, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire. L’étude comprend des graphes donnant les variations des différents facteurs influant sur le rendement des deux strucures. La structure la plus appropriée pour ce travail est GaInAsN/GaAs car elle possède un meilleur rendement