Etude et simulation d’une structure photovoltaïque à base de semiconducteurs II-VI (CdZnTe)

Abstract

Ce travail porte sur l’étude et la simulation d’une structure à base de semi-conducteurs II-VI pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence de la concentration de Zinc sur les différents paramètres de l’alliage épitaxié sur substrat de . En effet l’augmentation de la densité de Zinc fait croitre le Gap de l’alliage, ce qui n’est pas intéressant pour absorber le maximum du spectre solaire, mais pour des faibles concentrations de Zinc ce matériau ternaire devient important dans le domaine photovoltaïque.