Simulation du transistor JFET

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Kardienne, Mazen	-
dc.contributor.author	Khemiche, Ayoub	-
dc.date.accessioned	2022-05-18T07:35:28Z	-
dc.date.available	2022-05-18T07:35:28Z	-
dc.date.issued	2021	-
dc.identifier.uri	https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046	-
dc.description	621.1101 ; 61 p	fr_FR
dc.description.abstract	Depuis les années 1950, le transistor à effet de champ, en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semi-conducteur. Son architecture et son principe de fonctionnement sont restés pratiquement inchangés à ce jour, mais ses dimensions physiques n’ont cessé de décroître. Cependant, depuis le début des années 2000, la réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances tout en réduisant le coût de fabrication. L’industrie des semi- conducteurs est dans une période clef de son essor, passant du monde de la microélectronique	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.title	Simulation du transistor JFET	fr_FR
Appears in Collections:	Mémoires de Master

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