Etude et simulation d'un photodétecteur métal-semiconducteur-métal à base de GaAs pour la photodétection à la longueur d'onde 0.85 micrométre

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Salmi Mohamed, Salah Eddine	-
dc.contributor.author	Hachid, Soufyane	-
dc.date.accessioned	2019-10-27T14:05:20Z	-
dc.date.available	2019-10-27T14:05:20Z	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1610	-
dc.description	4.621.1.182 ; 93 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	optiquement sans polarisation appelés photocommutateurs, ceci en introduisant des photodétecteurs Métal-Semiconducteur-Métal (MSM) interdigité et monoélectrode à contact Schottky dans le ruban central des lignes coplanaires. Ces photodétecteurs ont coupure a été mise en évidence. Ces composants présentent un bon isolement en obscurité ce qui représente un bon choix pour le rapport ON/OFF. M ots-clés: Photodétecteur Métal-Semiconducteur-Métal (MSM), Arséniure de Gallium (GaAs), Contact Schottky, Ligne coplanaire, photointerrupteur Hyperfréquence	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	Photodétecteur Métal-Semiconducteur-Métal (MSM), Arséniure de Gallium	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d'un photodétecteur métal-semiconducteur-métal à base de GaAs pour la photodétection à la longueur d'onde 0.85 micrométre	fr_FR
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