Etude et simulation d’une structure à base de GaInAsSb/Si pour le photovoltaïque

Abstract

L’énergie du spectre solaire s’étend de 5.0 eV à 5.0 eV, un spectre trop large pour être exploité par un seul semi-conducteur, l’idée donc est d’utiliser un alliage composée de quatre éléments chimiques à des gaps différents afin d’absorber le maximum du spectre solaire. Ce travail porte sur l’étude et simulation d’une structure à base de semi-conducteur pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAsSb épitaxie sur substrat de Si. En effet l’augmentation de l’incorporation d’indium diminue le gap ce qui est très intéressent pour absorber le maximum de spectre solaire. L’incorporation d’une faible composition d’antimoine provoque un éclatement de la bande de valence en deux sous bandes sous l’effet de cet éclatement il y a une réduction du gap d’où on obtient une augmentation du rendement finale jusqu’au 29.55% pour une concentration de 40% d’indium et 25% d’antimoine