Optimisation des Nanostructures pour les Diodes Lasers VCSEL

Abstract

L’object if de ce mémoire est d’étudier le fonct ionnement des Lasers à semi-conducteurs VCSEL à base d’une structure ternaire GaAsSb/GaAs afin de déterminer les longueurs d’ondes d’émissions. Nous avons en particulier étudié les propriétés structurales (paramètre de maille, désaccord de maille et l’épaisseur critique) et les propriétés électroniques (l’énergie de la bande interdite, l’énergie de quantificat ion et l’énergie de transition) de cet alliage. Nous avons aussi établi l’effet de la contrainte, l’éclatement ainsi que la température sur notre structure. En conclusion nous avons déterminer les longueurs d’ondes d’émissions de notre structure. Mots clés : Semi-conducteur, Laser, VCSEL, Puits quantique, Longueur d’onde d’émission.