Étude de l'influence des anneaux de garde sur les performances d’un dispositif semi-conducteur de type diode à jonction p-n

Abstract

Dans ce travail nous sommes intéressés à l’étude par la simulation d’un dispositif semiconducteur de type diode a jonction p-n afin d’observer l’influence des anneaux de garde sur

les

performances de cette jonction. Cette dernière présente des caractéristiques importantes notamment sa tension de claquage, cette dernière sera grande lors de l’ajout d’un anneau de garde à cette jonction, d’où l’amélioration de la tension de claquage dépend des anneaux de garde. Nous avons également étudié les différents paramètres caractérisant la jonction p-n avec anneau de garde qui nous ont servi à préciser le nombre et le positionnement de ce dernie