Etude et simulation d’une structure à base de GaSb 1-x N x  /GaSb pour la  détection

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Berkat, Mohamed Wafed	-
dc.date.accessioned	2019-11-05T08:26:02Z	-
dc.date.available	2019-11-05T08:26:02Z	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2053	-
dc.description	4.621.1.439 ; 39 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l’étude et la simulation d’une structure à base de GaSbN/GaSb. Cet alliage ternaire qui est un semi-conducteur III-V présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de gap qui diminue d’une manière drastique du à l’incorporation d’Azote dans le GaSb, d’où l’amélioration de l’absorption des photons ayant des longueurs d’ondes proche du rouge. Mots clés : Semi-conducteur, Azote, Puits quantique, Longueur d’onde.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	U.Blida1	fr_FR
dc.subject	Semi-conducteur, Azote, Puits quantique, Longueur d’onde.	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d’une structure à base de GaSb 1-x N x /GaSb pour la détection	fr_FR
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