Etude et simulation d’une structure à base de GaSb 1-x N x /GaSb pour la détection

Abstract

Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l’étude et la simulation d’une structure à base de GaSbN/GaSb. Cet alliage ternaire qui est un semi-conducteur III-V présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de gap qui diminue d’une manière drastique du à l’incorporation d’Azote dans le GaSb, d’où l’amélioration de l’absorption des photons ayant des longueurs d’ondes proche du rouge. Mots clés : Semi-conducteur, Azote, Puits quantique, Longueur d’onde.