Etude par TCAD-Silvaco d'une structure non-p dans le cadre du projet ATLAS du CERN.

Abstract

Nous avons fait une simulation comparative entre deux détecteurs au silicium de type n-in-p (conventionnel et P-layer) destiné aux applications à haute luminosité. Les performances électriques de ces détecteurs ont été é valuées à l’aide des outils TCAD du logiciel Silvaco en appliquant des radiations sur les détecteurs et changer leurs puissances et angles d’incidences. La remarque que nous avons constater est que le courant de fui te se développe l orsque la puissance d’irradiation aug mente . En ce qui concerne l’angle d’incidence, lorsqu’elle est inferieur à 90°, les caractéristiques électriques des détecteurs augmentent. Pour la comparaison, la structure P-layer est plus performante que la structure conventionnelle. Mots clés : Détecteur au silicium, irradiation, p-layer , TCAD