Please use this identifier to cite or link to this item:
http://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/2068| Title: | Etude et calcule le gain optique d’une structure à puits quantique à base d’InGaN/GaN |
| Authors: | Salma, Mustapha Zmite, mohamed |
| Keywords: | puits quantique;InGaN/GaN |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Univ Blida1 |
| Abstract: | On différencie trois types de matériaux : les isolants, les conducteurs et les semiconducteurs. Ceux-ci sont intermédiaires entre les métaux et les isolants : à T=0K un semiconducteur se comporte comme un isolant. Néanmoins, il conduit l’électricité dès que la température augmente. La résistivité des semi-conducteurs varie entre 10 Ω. cm, alors que celle des métaux est de l’ordre de 10 -3 Ω. cm et 10 -9 Ω. cm et celle des isolants peut atteindre 10 -6 Ω.cm. Dans un semi-conducteur il existe deux types de conductions : la conduction par électron et la conduction par trou. Lorsque dans un cristal certaines liaisons entre atomes se cassent, les électrons sont libres de se déplacer, l’emplacement de liaison cassée est appelé trou. Sous l’effet du champ électrique les électrons se déplacent dans le sens inverse du champ et les trous se déplacent dans le sens de cham |
| Description: | 4.621.1.328 ; 99 p 30 cm |
| URI: | http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2068 |
| Appears in Collections: | Mémoires de Master |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Untitled.pdf | 5,23 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.