Etude des effets des radiations sur un détecteur pixel à l’aide des outils de simulation TCAD de  Silvaco

Please use this identifier to cite or link to this item: http://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/2072

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Mekki, ousseyn	-
dc.date.accessioned	2019-11-05T09:14:59Z	-
dc.date.available	2019-11-05T09:14:59Z	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2072	-
dc.description	4.621.1.448 ; 58 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Dans le cadre de l’expérience ATLAS au niveau du CERN, les détecteurs pixels sont soumis à de fortes radiations ionisantes au niveau du grand collisionneur de hardrons (LHC). Ces radiations incorporent dans les détecteurs à semi-conducteurs des pièges dans la bande interdite du semi-conducteur ainsi que des charges dans l’oxyde, ce qui altèrent leurs performances électriques. Ce travail consiste à mettre en évidence ces effets de radiations sur un détecteur de type diode à jonction PN à l’aide des outils de simulation TCAD du logiciel SILVACO. Mots clés : détecteur, pièges, radiation, semi-conducteur, Silvaco.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	U.Blida1	fr_FR
dc.subject	détecteur, pièges, radiation, semi-conducteur, Silvaco.	fr_FR
dc.title	Etude des effets des radiations sur un détecteur pixel à l’aide des outils de simulation TCAD de Silvaco	fr_FR
Appears in Collections:	Mémoires de Master

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Untitled.pdf		4,71 MB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI