Etude et simulation d’une structure à puits quantique à base de GaAsNP

Abstract

Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l’étude et la simulation d’une structure à base de GaAsNP/GaP pour le puits quantique. Cet alliage quaternaire qui est un semiconducteur III-V présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de gap qui diminue d’une manière drastique du à l’incorporation d’azote et du phosphore dans le GaAs, d’où l’amélioration de l’absorption des photons ayant des longueurs d’ondes proche du rouge. Nous avons également étudié les différents paramètres caractérisant le puits quantique qui nous a servi à simuler les niveaux d’energie de quantification et la longueur d’onde.