Modélisation et simulation des structures à base des nouveaux matériaux pour la télécommunication.

Abstract

Résumé : Dans cette étude, nous aborderons la modélisation et la simulation des structures à base des nouveaux matériaux comme InGaAs/GaAsP et GaSbBi/GaAs pour la télécommunication. Ces alliages ternaires qui sont des semi-conducteurs III-V présentent des caractéristiques importantes tels que: la diminution du gap, conductivité thermique élevée, un bon coefficient d’absorption, et une bonne longueur d’onde d’émission dans la fenêtre 1.55 µm etc.…Nous nous sommes intéressé également à l’étude des différents paramètres caractérisant les lasers à semi-conducteurs et les Puits quantiques. Mots clés : Semi-conducteur ; laser ; Puits quantique.