Modélisation et simulation des structures à base des nouveaux  matériaux pour la télécommunication.

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	FOMBA, Fanta	-
dc.date.accessioned	2019-11-06T12:15:07Z	-
dc.date.available	2019-11-06T12:15:07Z	-
dc.date.issued	2017	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2144	-
dc.description	4.621.1.468 ; 71 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Résumé : Dans cette étude, nous aborderons la modélisation et la simulation des structures à base des nouveaux matériaux comme InGaAs/GaAsP et GaSbBi/GaAs pour la télécommunication. Ces alliages ternaires qui sont des semi-conducteurs III-V présentent des caractéristiques importantes tels que: la diminution du gap, conductivité thermique élevée, un bon coefficient d’absorption, et une bonne longueur d’onde d’émission dans la fenêtre 1.55 µm etc.…Nous nous sommes intéressé également à l’étude des différents paramètres caractérisant les lasers à semi-conducteurs et les Puits quantiques. Mots clés : Semi-conducteur ; laser ; Puits quantique.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	U.Blida1	fr_FR
dc.subject	Semi-conducteur ; laser ; Puits quantique.	fr_FR
dc.title	Modélisation et simulation des structures à base des nouveaux matériaux pour la télécommunication.	fr_FR
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