Etude et simulation de Laser à semiconducteur à double hétérojonction GaAlAs/GaAs

Abstract

Résumé : Ce travail porte sur l’étude par simulation d’une structure de diode laser à double hétérojonction à base des matériaux GaAlAs/GaAs, en présentant son principe de fonctionnement, les propriétés des matériaux qui la constituent, et ses innombrables applications. Au cours de ce travail, nous avons étudié l’influence de l’épaisseur de la couche active et la concentration d’Aluminium dans les couches latérales sur la densité d’électrons injectés et le facteur de confinement. La méthode utilisée dans les simulations est la méthode des éléments finis. Les résultats de simulation montrent que la densité de courant seuil présente une valeur optimale égale à 1,55 kA/cm 2 pour une épaisseur de couche active égale à 0.04 µm. Mots clés : laser à double hétérojonction ; émission stimulée, GaAs/GaAlAs ; éléments finis.