Etude et simulation d’une structure à puits quantique à base de InGaAsBi/GaAs appliquée aux Télécommunications

Abstract

Ce travail porte sur l’étude et la simulation d’une structure Inx Ga(1-x) Asy Bi(1-y), sur substrat de GaAs à puits quantique .on a d’abord étudié le paramètre de maille en fonction des deux concentrations de Bismuth (Bi) et d’Indium (In), en effet ce dernier augmente avec l’augmentation des concentrations ;nous avons aussi simulé le désaccord de maille et, qui pour notre structure donne dans tous les points une contrainte compressive . La simulation des trois bandes d’énergie pour notre structure donne un puits quantique de type I. Cette structure et pour certaines concentrations de Bi et In donne une longueur d’onde de 1.55µm. Il y’a eu aussi un élargissement de la gamme d’émission du gain optique avec l’augmentation des porteurs injectés, aussi avec l’augmentation de la température on a qu’une légère diminution du gap optique avec un léger décalage de la longueur d’onde d’émission