Etude par TCAD-SILVACO des effets des radiations sur des détecteurs pixels de type p

Abstract

Dans ce travail nous avons fait une étude comparative sur l’influence des radiations ionisantes sur deux détecteurs à semi-conducteurs avec un substrat de type p mais avec des anneaux de garde différents. Cette étude a été menée à l’aide des outils de simulation TCAD du logiciel Silvaco. Nous avons fait varier plusieurs paramètres comme le dopage du substrat, l'influence des radiations et la charge induite présente dans l’oxyde. Les résultats obtenus de la simulation ont montré que le détecteur avec des anneaux de garde de type n offre de meilleurs performances électriques en terme de tension de claquage et de courant de fuite par rapport à ceux de type p.