Etude par simulation TCAD des performances électriques d'une structure n-on-p dédiée au grand détecteur ATLAS du CERN

Abstract

Ce travail a pour but d’étudier à l’aide de la simulation un détecteur de particules à semiconducteur

avec une structure de type n-in-p. Ce détecteur est à base de silicium et comporte des anneaux de garde et une isolation p-spray entre les implants. La simulation a été effectuée à l’aide des outils TCAD de Silvaco en faisant varier plusieurs paramètres technologiques du détecteur comme le substrat, les anneaux de garde, l’oxyde et le p-spray. Cette étude a permis d’étudier l’influence de ces paramètres sur la tension de claquage et le courant de fuite dans le but de déterminer les meilleures performances électriques de ce type détecteur