Analyse des transistors à effet de champ a grille isolée VDMOS

Abstract

L’industrie de la microélectronique connaît depuis ses origines un développement extraordinaire tant les possibilités d’applications qu’elle ouvre sont nombreuses et prometteuses. Cependant, la fabrication de circuits intégrés toujours plus complexe d’une génération à l’autre n’est possible que grâce à des innovations incessantes autorisant leur faisabilité. D’un point de vue technologique, c’est avant tout par la réduction des dimensions critiques des dispositifs élémentaires utilisés dans la microélectronique (notamment la longueur de grille et l’épaisseur d’oxyde dans les transistors MOS, Métal–Oxyde–Semiconducteur) et par l’abaissement des tensions d’alimentation que les technologies actuelles et futures permettent et permettront d’atteindre des performances élevées autant en termes de rapidité de commutation qu’en termes de densité d’intégration