ETUDE ET SIMULATION DES NANOSTRUCTURE A BASE DE NOUVEAUX MATERIAUX POUR L’OPTOELECTRONIQUE InAsSb/GaAs & InAsSb/InP

Abstract

Ce travail porte sur la simulation de deux structures à base de semiconducteurs (InAsSb/GaAs et InAsSb/InP) pour une application laser. Il s’agit plus précisément d’évaluer l’influence de l'antimoine ‘Sb’ sur la bande de valence et le gain optique en utilisant le modèle de bande anti-croisement (BAC). Nous avons étudié d’abord les propriétés physiques et structurales des matériaux III-V, ainsi que leurs types de composé et leurs avantages. Ensuite, on a étudié l’effet de l’incorporation d’une faible concentration de l'antimoine dans l’alliage ternaire InAsSb. Cette incorporation provoque un éclatement de la bande de valence en deux sous bandes, l’avantage de cet effet est de faire varier la longueur d’onde d’émission afin d’atteindre les longueurs d’onde d’émission exploitable dans les fibres optiques 0.85, 1.33 et 1.55 µm.

Mots Clés : Laser – Puits quantique – InAsSb/GaAs – InAsSb/InP.