ETUDE ET SIMULATION D’UNE STRUCTURE A PUITS QUANTIQUE A BASE DE « InGaAsSb/GaAs » & « InGaAsSb/AlSb » POUR LE LASER

Abstract

Cette recherche se base sur l’utilisation de matériaux III-V pour la réalisation d’un laserà base de puits quantique. Il s’agit plus particulièrement d’une étudeoptoélectronique. En premier lieu on va définir les propriétés physique et optique des matériaux (Indium,Gallium, Arsenic et Antimoine) pour en faire un alliage quaternaire d’une structure apuits quantique. En deuxième lieu on va étudier l’effet de l’incorporation d’une faibleconcentration d’Arsenic dans l’alliage quaternaire InGaAsSb. En dernier on va réalisernotre structure d’émission pour atteindre la longueur d’onde d’émission souhaitéexploitable dans les fibres optiques 1.55 μm. Mots clés : Laser ; puits quantiques ; optoélectronique ; InGaAsSb ; GaAs ; AlSb