Elaboration et caractérisation des couches minces à base d’oxyde de zinc (ZnO) pour des applications en optoélectronique

Abstract

Résumé : des couches minces ZnO , ZnO-Ag, ZnO-Mg et ZnO- Ag-Mg ont été réalisées par évaporation thermique sous vide pour les applications dans le domaine de l’optoélectronique . Il a été trouvé que le ZnO se cristallise avec une structure hexagonale wurtzite après un recuit à 400°C, tandis que l’Ag montre des pics pour les deux couches ZnO-Ag et ZnOAg-Mg avec une direction préférentielle (111). Cependant à noter l’absence

des pics

AgO, Mg et MgO.

On a aussi constaté que le facteur de transmission varie dans la gamme (74-88)%

dans

l'intervalle (300-800 nm), qui correspond au domaine visible. Ainsi qu’après le recuit

toutes les couches

prennent

un comportement électrique (résistances) des semiconducteurs.

Mots clés : couches minces, ZnO, ZnO-Ag, ZnO-Mg, ZnO-Ag-Mg, évaporation thermique, semi-conducteurs.