Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/2785
Titre: Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs
Auteur(s): Brahimi, Chakib
Benlemdjaldi, Moussa
Mots-clés: Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs
Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs
Date de publication: 2018
Editeur: Univ Blida1
Résumé: L’objectif principal de ce travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky à base AlGaAs que sont obtenus après la simulation assisté par logiciel " SILVACO" .Pour bien comprendre le comportement de cette diode et son principe de fonctionnement et les phénomènes participant dans la conductivité du courant dans ce dernier, on a fait un partie théorique contient des généralités et des notions du base sur les semi-conducteurs en générale et ce type de composants spécialement. La simulation nous a permis d’étudier l’influence des défauts et d’autres paramètres sur les caractéristiques électriques tels que I-V and C-V
Description: 4.621.1.565 ; 87 p illustré
URI/URL: http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2785
Collection(s) :Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
mémoire .pdf8,55 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.