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dc.contributor.authorBrahimi, Chakib-
dc.contributor.authorBenlemdjaldi, Moussa-
dc.date.accessioned2019-11-13T08:41:16Z-
dc.date.available2019-11-13T08:41:16Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2785-
dc.description4.621.1.565 ; 87 p illustréfr_FR
dc.description.abstractL’objectif principal de ce travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky à base AlGaAs que sont obtenus après la simulation assisté par logiciel " SILVACO" .Pour bien comprendre le comportement de cette diode et son principe de fonctionnement et les phénomènes participant dans la conductivité du courant dans ce dernier, on a fait un partie théorique contient des généralités et des notions du base sur les semi-conducteurs en générale et ce type de composants spécialement. La simulation nous a permis d’étudier l’influence des défauts et d’autres paramètres sur les caractéristiques électriques tels que I-V and C-Vfr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniv Blida1fr_FR
dc.subjectDiode ; Schottky ; Semi-conducteursfr_FR
dc.subjectDiode ; Schottky ; Semi-conducteursfr_FR
dc.titleSimulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAsfr_FR
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