Étude et simulation d’un transistor nanométrique à grille enrobée cylindrique GAA MOSFET

Abstract

Le MOSFET à grille enrobée cylindrique (GAA) est une invention radicale et un candidat potentiel pour remplacer le MOSFET conventionnel, car il introduit une nouvelle direction pour la mise à l'échelle des transistors. Dans ce travail, la sensibilité des paramètres de processus tels que la longueur du canal (LG), l'épaisseur du canal (W) et le travail de sortie de grille (φM) sur les performances du transistor sont systématiquement analysées. Les caractéristiques électriques telles que la tension de seuil (Vth) et la transconductance (gm) sont évaluées et étudiées avec la variation des paramètres de conception du dispositif. Cette étude a été effectuée en utilisant le logiciel COMSOL