Étude et simulation d’un transistor nanométrique à grille enrobée cylindrique GAA MOSFET

Please use this identifier to cite or link to this item: http://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/2796

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Fettoumi, Mouloud	-
dc.contributor.author	Khoukhi, Karim	-
dc.date.accessioned	2019-11-13T09:15:11Z	-
dc.date.available	2019-11-13T09:15:11Z	-
dc.date.issued	2018	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2796	-
dc.description	4.621.1.570 ; 72 p ; illustré	fr_FR
dc.description.abstract	Le MOSFET à grille enrobée cylindrique (GAA) est une invention radicale et un candidat potentiel pour remplacer le MOSFET conventionnel, car il introduit une nouvelle direction pour la mise à l'échelle des transistors. Dans ce travail, la sensibilité des paramètres de processus tels que la longueur du canal (LG), l'épaisseur du canal (W) et le travail de sortie de grille (φM) sur les performances du transistor sont systématiquement analysées. Les caractéristiques électriques telles que la tension de seuil (Vth) et la transconductance (gm) sont évaluées et étudiées avec la variation des paramètres de conception du dispositif. Cette étude a été effectuée en utilisant le logiciel COMSOL	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	Transistor MOSFET ; Grille enrobée cylindrique ; Tension de seuil	fr_FR
dc.title	Étude et simulation d’un transistor nanométrique à grille enrobée cylindrique GAA MOSFET	fr_FR
Appears in Collections:	Mémoires de Master

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Mémoire de Master µElec MLD-KRM (GAA MOSFET).pdf		3,71 MB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI