Simulation et optimisation d'un amplificateur distribus pour les les applications radar

Abstract

Dans ce travail, nous avons étudié un modèle non-linéaire du transistor d’Angelov utiles pour des applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit, de manière très précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors HEMT en régime grand-signal. Le modèle a été validé à travers des mesures grand-signal. L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son implémentation dans un simulateur de circuits est très simple. Ce modèle de transistor nous a permis de concevoir, un amplificateur à faible bruit et trois amplificateurs distribués uni-étage.