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  4. Mémoires de Master
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dc.contributor.authorLarbi, Yasmina-
dc.contributor.authorAissat, A. (Promoteur)-
dc.contributor.authorAmmraoui, R. (Co-Promoteur)-
dc.date.accessioned2024-09-25T12:45:42Z-
dc.date.available2024-09-25T12:45:42Z-
dc.date.issued2023-07-18-
dc.identifier.urihttps://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/30488-
dc.descriptionill., Bibliogr. Cote:ma-366fr_FR
dc.description.abstractDans le cadre de ce projet nous somme intéressé sur l'amélioration de la réponse d'une photodiode basée sur les semi-conducteurs III-V en passant par l'étude des propriétés structurales afin d'obtenir une photodiode ultra rapide. L'optimisation des concentrations de phosphore dans l'alliage ternaire (GaAs/InP)permet d'améliorer l'absorption de la photodiode. Des simulations ont été réalisées pour étudier le gap en fonction de la concentration de phosphore et la température, le coefficient d'absorption en fonction de la concentration de phosphore, et finalement les réponses impulsionnelles des porteurs ainsi que la réponse en fréquence de la photodiode. Enfin, une nouvelle structure a été proposée pour améliorer la réponse de la photodiode. Mots-clés: jonction PN, longueur d'onde, photodiode PIN,semi-conducteursIII-Vfr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniversité Blida 1fr_FR
dc.subjectjonction PNfr_FR
dc.subjectlongueur d’ondefr_FR
dc.subjectPhtodiode PINfr_FR
dc.subjectsemi-conducteurs III-Vfr_FR
dc.titleAmélioration des nanostructures à bas des semi-conducteurs III-V pour la Détectionfr_FR
dc.typeThesisfr_FR
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